国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体素子接合技術で太陽電池性能を最大化
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体素子接合技術で太陽電池性能を最大化
本特許は、半導体素子の接合方法とその構造に関するもので、特に高効率な太陽電池の製造を可能にします。本技術では、半導体素子の接合面に導電性ナノ粒子を介在させることで、優れた接合構造を実現します。それだけでなく、導電性ナノ粒子の配列間隔は、導電性ナノ粒子サイズの2倍以上10倍以下の距離とすることで、導電性と透光性を両立させています。また、半導体素子は、結晶Si系、アモルファスSi系、微結晶Si系、有機系、カルコパライト系、またはGaAs、TInP、GaSb、Ge基板上等に積層された2接合以上からなる太陽電池として利用します。このような技術により、光電変換効率の高い太陽電池を製造することが可能となります。
つまりは、高効率太陽電池を実現する新たな半導体素子接合方法と構造
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー産業半導体産業ハードウェア製造業
- 高効率太陽電池の製造
- 半導体製品の品質向上
- エネルギー効率の高いスマートホームの実現
本発明を活用して、光電変換効率を向上させる太陽電池を製造することができます。これにより、太陽光をより効率的に電力に変換することが可能となり、エネルギー産業における再生可能エネルギーの利用を促進します。
本発明の半導体素子の接合方法を利用すれば、半導体製品の品質を向上させることができます。特に、半導体素子の接合部分の信頼性を高めることが可能となり、製品の耐久性と寿命を延ばすことができます。
高効率な太陽電池を活用することで、エネルギー効率の高いスマートホームの実現が可能となります。太陽光を効率的に電力に変換することで、家庭内の電力消費を大幅に削減し、環境に優しい生活を実現します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-539671 |
| 発明の名称 | 半導体素子の接合方法および接合構造 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2013/058291 |
| 登録番号 | 特許第0005875124号 |
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