国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体コンタクト構造とその形成方法
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体コンタクト構造とその形成方法
この特許は、特定の範囲のタングステンとシリコンの組成比を持つタングステンケイ素化合物薄膜を半導体基板表面に作製する技術について述べています。半導体基板はシリコンまたはゲルマニウムであることが特徴です。また、遷移金属原子をシランガス中に放出し、シランとの気相反応によって遷移金属内包シリコンクラスターを合成し、半導体基板表面に堆積することが可能です。この技術は、レーザーアブレーション法、スパック法、電子線加熱法などを活用しています。基板温度は室温から600℃の範囲で適応可能で、堆積後には300℃から600℃の範囲で熱処理を行います。この特許によって、半導体デバイスの性能向上と製造プロセスの効率化が可能となります。
つまりは、タングステンとシリコンの特殊な組成比を活用した半導体コンタクト構造とその形成方法を特許化。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造マイクロエレクトロニクス
- 高性能半導体デバイスの製造
- 既存半導体製造プロセスの効率化
- 次世代半導体素材の開発
この特許の技術を利用することで、高性能な半導体デバイスを製造することが可能です。特に、微細化や低抵抗化を求められる現代の半導体産業において、高いパフォーマンスとコスト効率を実現します。
この技術は既存の半導体製造プロセスに追加または組み込むことで、製造効率を大幅に向上させることが可能です。特に、制御された気相反応と熱処理プロセスにより、製造プロセスの精度と再現性を向上させます。
タングステンケイ素化合物の特性を活用した新素材の開発に利用できます。これにより、更に高性能な半導体デバイスの製造や、新たな電子デバイスの開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-503769 |
| 発明の名称 | 半導体コンタクト構造及びその形成方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2013/133060 |
| 登録番号 | 特許第0006044907号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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