国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能薄膜トランジスタの製造技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能薄膜トランジスタの製造技術
本特許は、特定の誘電率、厚み、酸素原子比率を持つ薄膜トランジスタを製造する技術に関するものです。ランタンとジルコニウムを含む前駆体塗液を用いてゲート絶縁層を形成し、さらにインジウムと鉛、ジルコニウムまたはランタンを含む前駆体を用いてチャネル用酸化物を形成します。この方法により、チャネルの層の厚みが5nm以上80nm以下、比誘電率が15以上30以下、そしてX線光電子分光法による酸素原子の数が0.19以上0.21以下の範囲内になるような高性能薄膜トランジスタを製造することが可能です。
つまりは、高誘電率・適切な厚み・特定の酸素原子比率を持つ薄膜トランジスタを製造する方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体産業テクノロジー
- 高性能ディスプレイの製造
- エネルギー効率の高い電子機器の開発
- 高品質な半導体素材の製造
本特許の製造方法を用いることで、高誘電率と適切な厚みを持つ薄膜トランジスタを製造し、これをディスプレイに応用することが可能です。これにより、ディスプレイのパフォーマンスを向上させることができます。
本特許の製造方法を用いて、特定の酸素原子比率を持つ薄膜トランジスタを製造することで、エネルギー効率の高い電子機器の開発が可能になります。これにより、電力消費を抑えた高性能な電子機器を生産することができます。
本特許に記載の製造方法は、高品質な半導体素材の製造にも応用可能です。特定の誘電率と厚みを持つ薄膜トランジスタを製造することは、半導体素材の品質と性能を向上させることにつながります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-506223 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2013/141197 |
| 登録番号 | 特許第0005999525号 |
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