国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な磁気多層膜とトンネル磁気抵抗素子の開発
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な磁気多層膜とトンネル磁気抵抗素子の開発
本特許は、スピントルク型MRAM（Magnetoresistive Random Access MemoryまたはMagnetic Random Access Memory）の記憶素子として使用可能な磁気多層膜及びトンネル磁気抵抗素子に関するものです。スピントルク型MRAMは、微細化に適しており、高速で低消費電力であるため、不揮発性の混載メモリやDRAM、SRAMの後継として注目されています。本特許の磁気多層膜は、電流を流すことで強磁性体層の磁化の方向が反転する現象を利用した記憶素子で、強磁性下部電極層と強磁性上部電極層の間にトンネル障壁層を挟んだ構造を持っています。これにより、電流を流すとトンネル磁気抵抗効果が生じ、TMR素子が低抵抗になったり高抵抗になったりします。これをデジタル情報の1と0に対応させ、TMR素子が不揮発性の磁気メモリとして利用されます。
つまりは、高速で低消費電力なスピントルク型MRAMの記憶素子として有用な、磁気多層膜及びトンネル磁気抵抗素子に関する特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界コンピュータ硬件業界電子機器製造業界
- 高速で低消費電力なメモリの開発
- 微細化技術の進展
- 非揮発性メモリの開発
本特許の磁気多層膜とトンネル磁気抵抗素子を用いて、高速で低消費電力なメモリを開発することが可能です。これにより、効率的な電力消費と高いパフォーマンスを実現することができます。
スピントルク型MRAMは、微細化に適しているため、本特許を利用して微細化技術を一段と進めることができます。これにより、より小型で高性能なデバイスの開発が可能となります。
本特許の技術を用いて、不揮発性のメモリを開発することができます。これにより、電源が切れてもデータが保持される、信頼性の高いメモリの開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-533009 |
| 発明の名称 | 磁気多層膜及びトンネル磁気抵抗素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2014/034639 |
| 登録番号 | 特許第0006049032号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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