国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な電子デバイスの製造法
国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な電子デバイスの製造法
本特許は、金属酸化物半導体接合電界効果トランジスタ、微小電気機械システム等の固体電子装置の製造法について述べています。酸化物、アンチモン、ランタン、ニッケル、インジウム等を含む前駆体を用いて、誘電体層や電極層を形成します。特に、第1酸化物層と第2酸化物層を含む誘電体層の製造が特徴で、それぞれの層は特定の加熱温度で形成されます。これにより、結晶相及びアモルファス相を含む誘電体層が実現します。これらの工程は1回ずつ行われ、その間に電極層形成工程が行われます。
つまりは、高性能な誘電体層を持つ電子デバイスの製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工学半導体産業マイクロエレクトロニクス
- 高性能電子デバイスの開発
- 高品質な半導体の生産
- 新たな微小電気機械システムの設計
本特許の製造法を用いて、高性能な誘電体層を持つ電子デバイスを開発することが可能です。これにより、電子デバイスの性能を大幅に向上させることができます。
本特許の技術を活用し、高品質な半導体を生産することができます。特に、金属酸化物半導体の品質向上に寄与します。
本特許の製造法を用いて、新たな微小電気機械システムを設計することが可能です。これにより、より高性能で効率的な微小電気機械システムの開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-506721 |
| 発明の名称 | 誘電体層及び誘電体層の製造方法、並びに固体電子装置及び固体電子装置の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2014/148336 |
| 登録番号 | 特許第0006247684号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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