国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能半導体の新たな道 - ゲルマニウム基板製造技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能半導体の新たな道 - ゲルマニウム基板製造技術
本発明は、1X10^8 cm 3 以上の酸素濃度を有するゲルマニウム層を還元性ガス雰囲気中において、700度以上で熱処理する工程を特徴とする半導体基板の製造方法です。この高温熱処理により、ゲルマニウム層の酸素濃度が低下し、半導体装置の性能が向上します。さらに、ゲルマニウム層は(111)面が主面であり、主に水素ガスを用いた熱処理が行われます。この技術は、シリコンに代わる新たな半導体材料として期待されるゲルマニウムの利用を広げ、半導体装置の性能向上に貢献します。
つまりは、この特許は、ゲルマニウム基板の製造方法に関するもので、特に半導体装置の性能向上を目指しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業自動車業界
- 高性能半導体の開発
- 高品質な電子機器の製造
- 自動車業界への応用
本技術を活用して、ゲルマニウム基板の製造を行い、その基板を用いて高性能な半導体装置を開発することができます。これにより、従来のシリコンに代わる新たな半導体材料の開発が可能となります。
この技術を活用して製造されたゲルマニウム基板を用いることで、より高品質な電子機器を製造することが可能です。具体的には、ゲルマニウム基板を用いた半導体装置は、優れた電子物性を持ち、電子機器の性能を向上させることが期待できます。
高性能な半導体は、自動車業界における電子制御システムの性能向上に寄与します。本技術を活用して製造されたゲルマニウム基板を用いた半導体装置は、自動車の電子制御システムの性能を向上させることが期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-544904 |
| 発明の名称 | ゲルマニウム層を熱処理する半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2015/064338 |
| 登録番号 | 特許第0006169182号 |
- サブスク
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