国立研究開発法人産業技術総合研究所
電力消費を削減する次世代不揮発性メモリ
国立研究開発法人産業技術総合研究所
電力消費を削減する次世代不揮発性メモリ
本発明では、共鳴トンネルダイオード（RTD）素子を用いた新たな不揮発性メモリを提供します。このメモリは、量子井戸の井戸層に複数のバリア層とポテンシャル傾斜を備えています。順バイアスの電圧を印加することで量子井戸内に電子を蓄積し、逆バイアスの電圧を印加することで蓄積した電子を放出することが可能です。これにより、電子蓄積と放出による双安定状態を記憶することができます。これは、情報通信機器の消費電力を大幅に削減する可能性を秘めています。さらに、ピコ秒オーダーの超高速動作が可能であり、低損失であるため、低消費電力な不揮発メモリを期待できます。
つまりは、共鳴トンネルダイオード素子を用いた不揮発性メモリで、電子蓄積と放出による双安定状態記憶を可能にします。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 情報通信半導体産業コンピュータハードウェア
- 次世代の低消費電力コンピュータシステムの開発
- 超高速メモリの開発
- 新たな不揮発性メモリの開発
この技術を用いることで、情報通信機器やコンピュータシステムの消費電力を大幅に削減することが可能です。これにより、エネルギー効率の高い次世代のコンピュータシステムを開発することができます。
この技術は、ピコ秒オーダーの超高速動作を可能にします。これにより、現在のメモリよりも格段に高速なメモリを開発することができ、情報処理速度を向上させることが可能です。
この技術は、電子蓄積と放出による双安定状態を記憶することが可能です。これにより、新たな不揮発性メモリを開発することができ、情報保存の安定性と持続性を向上させることが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-556817 |
| 発明の名称 | 共鳴トンネルダイオード素子及び不揮発性メモリ |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2015/105123 |
| 登録番号 | 特許第0006278419号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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