国立研究開発法人産業技術総合研究所
新時代のパワーセミコンダクタ向け炭化シリコンエピタキシャルウエハーの開発
国立研究開発法人産業技術総合研究所
新時代のパワーセミコンダクタ向け炭化シリコンエピタキシャルウエハーの開発
本特許では、炭化シリコン基板と炭化シリコンエピタキシャル成長層の界面に凹凸構造を有し、エピタキシャル成長層の表面が平坦な炭化シリコンエピタキシャルウエハーの製造方法が述べられています。炭化シリコンは、シリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍、禁制帯幅と熱伝導率が約3倍という優れた物性を持つため、パワーセミコンダクタ素子の性能向上が期待できます。しかし、従来の製造方法では、性能や信頼性の問題がありました。本特許では、ステップバンチングを構成する工程、エピタキシャル成長層の作製工程、その表面の平坦化工程などを経て、高品質でコスト効率の良い炭化シリコンエピタキシャルウエハーを製造する方法を提供します。これにより、半導体素子の製造コストの低減や性能の向上が期待できます。
つまりは、本特許は、炭化シリコンエピタキシャルウエハーの製造方法を提供し、その特性向上とコスト削減を目指します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業エネルギー産業電子機器製造業
- 高品質なパワーセミコンダクタの製造
- 電力変換装置の開発
- 省エネルギー化の推進
本特許の製造方法を用いて、高品質な炭化シリコンエピタキシャルウエハーを製造することで、パワーセミコンダクタの性能と信頼性を向上させ、その製造コストを削減することが可能です。
本特許の製造方法により作成された炭化シリコンエピタキシャルウエハーは、その優れた物性を活かして、高効率かつ高信頼性の電力変換装置の開発に利用することができます。
本特許の製造方法は、エネルギー損失を低減する高品質なパワーセミコンダクタの製造を可能にするため、省エネルギー化を推進する各種アプリケーションに活用することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-513829 |
| 発明の名称 | 炭化珪素エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2015/159949 |
| 登録番号 | 特許第0006195426号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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