国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な電子メモリ：結晶配向層積層構造体
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な電子メモリ：結晶配向層積層構造体
本特許は、配向が制御された結晶配向層積層構造体を利用した電子メモリとその製造方法を提供します。この結晶配向層積層構造体を使用することで、電子の散乱を抑制し、エネルギーロスを軽減することが可能になります。さらに、特定の成膜材料を成膜する工程を含むことで、厚みが1nm以上100nm以下の配向制御層を形成することが可能となります。これにより、エネルギー効率の高い電子デバイスの製造が可能となり、コンピューターやその他の電子デバイスの性能向上に寄与します。
つまりは、配向が制御された結晶配向層積層構造体を使用した電子メモリとその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 コンピューター製造業半導体産業電子部品製造業
- 高性能電子デバイスの製造
- エネルギー効率の向上
- 高信頼性電子デバイスの開発
この特許を活用することで、電子の散乱を抑制し、エネルギーロスを軽減する新たな電子デバイスを製造することが可能になります。これにより、より高速かつエネルギー効率の良いデバイスの製造が可能となります。
この特許を用いて製造された電子メモリは、配向が制御された結晶配向層積層構造体を用いることで、エネルギーロスの軽減を可能にします。これにより、省エネルギー化に貢献する電子デバイスを製造することが可能となります。
この特許を活用することで、配向制御層の厚みを1nm以上100nm以下に制御することが可能となります。これにより、信頼性の高い電子デバイスの製造が可能となり、その結果、デバイスの寿命を延ばすことができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-519190 |
| 発明の名称 | 結晶配向層積層構造体、電子メモリ及び結晶配向層積層構造体の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2015/174240 |
| 登録番号 | 特許第0006238495号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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