国立研究開発法人科学技術振興機構
ナノデバイスの新時代: 高度な電荷制御によるナノデバイス
国立研究開発法人科学技術振興機構
ナノデバイスの新時代: 高度な電荷制御によるナノデバイス
本特許は、ナノ粒子の電荷状態を精密に制御することが可能なナノデバイスに関するものです。このデバイスは、複数のゲート電極を備え、それぞれのゲート電極に電圧を印加することで、ナノ粒子の電荷状態を段階的に変化させ、結果として流れる電流を段階的に変化させることが可能です。また、フローティングゲート電極を挟んでナノ粒子と対向する位置には、コントロールゲート電極が配置されています。このコントロールゲート電極に電圧を印加することで、フローティングゲート電極の電荷状態を制御し、さらにナノ粒子の電荷状態を制御することができます。これにより、高度な電荷制御と精密な電流制御が可能となります。
つまりは、ナノギャップ電極に設けられたナノ粒子の電荷状態を精密に制御するナノデバイス
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造ナノテクノロジー電子機器製造
- 高効率な電子デバイスの製造
- 高度なメモリデバイスの開発
- ナノスケールのトランジスタの作製
この技術は、電子デバイスの製造において、電流の流れをより精密に制御することが可能となります。これにより、電子デバイスの性能を向上させるとともに、エネルギー効率を向上させることが可能となります。
ナノ粒子の電荷状態を制御することにより、データの読み書きを電荷の状態で行う新たなタイプのメモリデバイスを開発することが可能です。これにより、従来のメモリデバイスと比較して高速で大容量のデータ処理が可能となります。
この技術は、ナノスケールのトランジスタの作製に活用することも可能です。ナノ粒子の電荷状態を制御することにより、トランジスタのスイッチング動作を制御することができます。これにより、より小型で高性能なトランジスタを製造することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-545560 |
| 発明の名称 | ナノデバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2016/031836 |
| 登録番号 | 特許第0006443699号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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