国立研究開発法人物質・材料研究機構
次世代の電子顕微鏡技術 - エネルギー弁別電子検出器
国立研究開発法人物質・材料研究機構
次世代の電子顕微鏡技術 - エネルギー弁別電子検出器
本特許では、主電極がグリッド状であり、電子検出器の前面に正電圧を印加したグリッド状の電極を設ける技術を提供します。また、検出単位は電子線の入射方向に対して同心円状または放射状に配置されます。この電子検出器は複数の検出単位からなり、主電極に印加される負電圧は直流電圧であるか、直流電圧に交流電圧を重ねた電圧です。また、主電極はエネルギーが50eV以下または5eV以下の電子を反射します。さらに、電子顕微鏡には電子軌道制御機構が設けられ、SE3電子の発生を抑制しながら二次電子をアウトレンズ検出器に導きます。この電子軌道制御機構は試料室の壁面に設けられた電極から構成され、電位を制御することでSE3電子の発生の抑制と二次電子の軌道を修正します。
つまりは、本特許は、エネルギー弁別電子検出器を走査電子顕微鏡に取り付けることで、より精度の高い観察を可能にする技術を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造材料科学医療技術
- 高精度な電子顕微鏡の開発
- 半導体製造プロセスの最適化
- 医療技術への応用
本特許の技術を活用することで、より高い解像度と精度を持つ電子顕微鏡を開発することが可能となります。電子顕微鏡の画質向上は、材料科学や生物学などの研究において重要な役割を果たします。
本特許のエネルギー弁別電子検出器は、半導体製造プロセスにおける微細な欠陥の検出に役立ちます。これにより、製造プロセスの品質管理と効率化が実現可能となります。
本特許の技術は、生体組織の詳細な観察や病理診断に役立てることが可能です。微小な細胞レベルでの観察が可能となり、より精度の高い診断を実現することが期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-550142 |
| 発明の名称 | エネルギー弁別電子検出器及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | WO2016/047538 |
| 登録番号 | 特許第0006440128号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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