雫石 誠
高性能積層半導体素子とその製造法
雫石 誠
高性能積層半導体素子とその製造法
この特許では、積層半導体素子の外形形状や中空部のZ軸方向の側面部を構成する半導体素子の側面部がシリコン酸化膜で被覆されていること、積層半導体素子を構成する半導体素子のシリコン酸化膜で被覆された側面部に受光窓を有し、受光窓側から半導体基板内部に向かって光電変換領域が形成されていること、積層された半導体素子表面又は裏面、及び中空部のZ軸方向の側壁に金属層を有することが明記されています。また、半導体素子の製造方法も詳細に説明されています。
つまりは、高集積化、高速駆動、低消費電力化、小型軽量化、そして柔軟な形状選択が可能な半導体素子とその製造方法の特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業通信機器製造業
- 小型高性能電子機器の開発
- 積層半導体素子の生産効率向上
- 柔軟な形状選択が可能な製品の提供
この技術を活用することで、高速駆動、低消費電力化、そして小型軽量化が可能な電子機器の開発が可能となります。
本特許に記載の製造法を用いることで、積層半導体素子の生産効率を向上させることが可能です。これにより、生産コストの削減や大量生産への対応が可能となります。
本特許の技術を活用することで、ユーザーのニーズに応じた柔軟な形状選択が可能な半導体素子を提供することが可能となります。これにより、製品の多様化とカスタマイズに対応することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-547105 |
| 発明の名称 | 半導体素子とその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 雫石 誠 |
| 公開番号 | WO2016/114377 |
| 登録番号 | 特許第0006251406号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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