国立研究開発法人産業技術総合研究所
マルチフェロイック素子の革新的初期化方法
国立研究開発法人産業技術総合研究所
マルチフェロイック素子の革新的初期化方法
この特許は、マルチフェロイック素子の初期化方法に関するもので、積層構造体に対して特定の電圧を加え、外部磁場を積層方向に加えることで、素子の初期化を可能にしています。特定の化合物を主成分とした合金属が交互に積層された超格子構造を持つことが特徴で、それぞれの合金属には特定の配向性があります。化合物の融点未満の温度条件下で電場及び磁場の少なくともいずれかを加えることで初期化を行います。この技術は、電子デバイスの省エネルギー化に寄与し、エネルギーロスを軽減します。
つまりは、絶縁体と伝導体を組み合わせたマルチフェロイック素子の初期化方法を特許化
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体業界データストレージ業界
- 電子デバイスの省エネ化
- 高性能データストレージの開発
- パワーエレクトロニクスの改善
この特許の技術は、電子デバイスの省エネ化に向けた中心的な技術開発課題に対する解決策として活用することができます。コンピューターなどの電子デバイスは、電流によって動作しますが、電流を操作する際にエネルギーロスが発生します。この初期化方法を利用することで、エネルギーロスの軽減とデバイスの省エネ化を図ることができます。
マルチフェロイック素子の初期化方法は、データストレージの性能向上に寄与する可能性があります。特定の電圧と外部磁場の適用により、素子の初期化が可能となるため、データの記録・消去の効率を高めることができます。これにより、高速・高容量のデータストレージの開発が期待できます。
この特許の技術は、パワーエレクトロニクスの改善にも寄与します。特に、電力変換や電力制御技術において、この初期化方法を適用することで、電力損失の削減や効率向上を図ることが可能です。これにより、より持続可能で効率的なエネルギーシステムの実現につながります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-506161 |
| 発明の名称 | マルチフェロイック素子の初期化方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2016/147802 |
| 登録番号 | 特許第0006466564号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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