国立大学法人 筑波大学
革新的なグラフェン製造技術により、未来の電子素子へ一歩先んじる
国立大学法人 筑波大学
革新的なグラフェン製造技術により、未来の電子素子へ一歩先んじる
我々の技術は、基板を1000度以上の温度に保持した状態で炭化水素を含むガスを供給し、プラズマアシスト法により炭化水素ガスの分解効率を高めることでグラフェンを製造します。さらに、製造したグラフェンを基板から分離する工程も備えています。また、基板主面に形成されたレジストパターンにガリウムを接触させ、ガリウムを融点を超える温度に保持した状態で炭化水素を含むガスを供給し、基板主面のガリウムとの接触界面にグラフェンを300度以下かつ100度以上の温度で成長させ、レジストパターンをグラフェン化して回路を形成します。この製造技術は、大面積かつ高品質の単層グラフェンを低温で製造することが可能で、電子素子への応用が期待できます。
つまりは、本特許では、大面積かつ高品質の単層グラフェンを低温で製造し、電子素子に応用する技術を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業半導体産業ナノテクノロジー産業
- 高品質グラフェンの大量製造
- 高性能な電子素子の製造
- グラフェンを用いた新素材の開発
一度に大面積かつ高品質な単層グラフェンを低温で製造することが可能になるため、グラフェンの大量生産が可能となります。これによりグラフェンの製造コストを下げ、その応用範囲を広げる事が期待できます。
本技術により製造されたグラフェンを電子素子の製造に用いることで、良好な伝導性、高い電子・正孔移動度を有する高性能な電子素子を製造することが可能になります。
本技術は、グラフェンの特性を活かした新素材の開発にも活用できます。例えば、力学的強度、光吸収および発光、熱伝導等の特性を活かした新たな産業材料の開発に寄与することが期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-515549 |
| 発明の名称 | グラフェンおよび電子素子ならびにこれらの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 | WO2016/175195 |
| 登録番号 | 特許第0006754355号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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