国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な磁気抵抗素子！電圧制御による高精度な磁化制御
国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な磁気抵抗素子！電圧制御による高精度な磁化制御
本発明は、磁歪層を含むフリー層と、第1強磁性体層を備えるピン層、それらの間に設けられた薄膜を有する磁気抵抗素子を提供します。これらの層は積層方向に交差する方向から磁歪層の少なくとも一部を囲むように設けられ、磁歪層に圧力を加える圧電体と協働します。フリー層に印加される電圧およびピン層に印加される電圧と異なる電圧を印加可能で、この圧電体が磁歪層に圧力を加えるように電圧を印加する電極が設けられています。これにより、電圧制御による磁化の精密な制御が可能となり、記憶デバイスやスイッチングデバイスとしての利用が期待されます。
つまりは、磁歪層を含むフリー層と強磁性体層を備えるピン層を組み合わせた磁気抵抗素子の開発
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業データストレージ業界
- 高精度メモリデバイスの開発
- 電磁スイッチングデバイスの開発
- 次世代の量子コンピュータ開発
この磁気抵抗素子は、フリー層の磁化方向を電圧によって精密に制御できるため、記憶デバイスの開発に利用することができます。特に、高密度で高速なデータ転送が要求される状況での利用が期待されます。
本発明の磁気抵抗素子は、電圧を印加することで磁化状態を変えることができるため、電磁スイッチングデバイスの開発に活用可能です。これにより、電力消費を抑えながら効率的にスイッチング操作を行うことが可能となります。
本発明の磁気抵抗素子は、電圧制御による磁化の精密な制御が可能なため、量子ビットの開発に貢献する可能性があります。これにより、量子コンピュータの高速化と高精度化を実現するための基盤技術となり得ます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-521945 |
| 発明の名称 | 磁気抵抗素子および記憶回路 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2016/194886 |
| 登録番号 | 特許第0006424272号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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