国立研究開発法人産業技術総合研究所
次世代の情報記憶装置、高性能不揮発性記憶素子
国立研究開発法人産業技術総合研究所
次世代の情報記憶装置、高性能不揮発性記憶素子
この特許では、絶縁膜間に形成された単分子層程度のO-M,-O層を利用し、その界面ダイポールの強度又は極性を変化させることで情報を記憶する高性能な三端子型の不揮発性記憶素子を提供します。これにより、絶縁膜と半導体構造の界面準位密度が低い状態でダイポール変調機構を組み込むことが可能となり、読み出し用の電界効果型トランジスタの動作特性への影響を最小限に抑えることができます。また、この記憶素子は、NANDフラッシュメモリの性能を上回る高性能化を期待でき、信頼性の高い情報記憶装置としての可能性を秘めています。
つまりは、本特許は、絶縁膜界面に誘起されるダイポールの強度変調を利用した高性能な不揮発性記憶素子に関する。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業情報技術(IT)電子機器製造業
- 高性能な情報記憶装置の開発
- 次世代のスマートフォンやタブレットの開発
- IoTデバイスへの応用
本特許の技術を活用し、高性能かつ信頼性の高い情報記憶装置を開発することが可能です。この新たな記憶素子は、現行のNANDフラッシュメモリよりも優れた性能を期待できるため、記憶装置市場に新たな風を吹き込むことができます。
本特許の技術を活用して、より大容量で高速な情報記憶装置を内蔵した次世代のスマートフォンやタブレットを開発することができます。これにより、ユーザーのデータ処理やアプリケーションの使用体験を大幅に向上させることができます。
本特許の技術は、情報処理速度と信頼性が重要となるIoTデバイスに対する理想的な解決策を提供します。IoTデバイスのパフォーマンスを向上させ、ユーザーにより良い経験を提供することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-546444 |
| 発明の名称 | 不揮発性記憶素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2017/068859 |
| 登録番号 | 特許第0006472149号 |
- サブスク
- 譲渡
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