国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体製造方法の提供
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体製造方法の提供
本特許は、電界効果トランジスタ(FET)及びその製造方法に関するもので、具体的にはモット転移を利用したFETとその製造方法に関するものです。従来の半導体をチャンネル層に用いたFETでは、性能向上のために微細化を行うと、それに伴ってチャンネルとして寄与する半導体の体積が減少し、素子ごとの特性のばらつきが深刻になる問題があります。本特許では、強い電子相関によって絶縁体になる相転移（モット転移）を利用したFETの製造方法を提案しています。これにより、半導体の微細化の限界といった問題が解消されます。
つまりは、モット転移を利用したFETとその製造方法が特許化されています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子部品製造業高度素材開発業
- 高性能な電子機器の開発
- マイクロシステムの改良
- 新素材の開発
この特許を活用して、モット転移を利用したFETを用いた電子機器を開発することができます。これにより、高性能で信頼性の高い電子機器の提供が可能となります。
微細化による性能向上が難しい従来のマイクロシステムを、この特許を用いて改良することができます。特に、性能のばらつきや信頼性の問題が深刻なシステムに対して有効です。
この特許を活用して、新たな半導体素材の開発に取り組むことができます。モット転移を利用した新素材は、従来の半導体素材を超える性能を発揮する可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-564192 |
| 発明の名称 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2017/130813 |
| 登録番号 | 特許第0006637076号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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