国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的なシリコンクラスター超格子: エレクトロニクスの新たな地平線
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的なシリコンクラスター超格子: エレクトロニクスの新たな地平線
この特許は、ダイヤモンド結晶構造を持つシリコンクラスターが、体心立方格子構造の形状に配置され、立体的な3次元格子を形成するシリコンクラスター超格子について説明しています。特に、シリコンクラスターの表面に存在する3配位Si原子が、Siとは異なる元素（例えば酸素やホウ素）で置換されるか、あるいは吸着されることで、超格子の電気特性が変化します。これにより、さまざまな電子デバイスにおけるキャリア伝導性の制御が可能となり、半導体や導電体、電子デバイスの性能向上に寄与します。
つまりは、体心立方格子構造で配置されたシリコンクラスターが、新たな電気特性を発揮します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工業半導体産業電気機器製造業
- 高性能半導体の開発
- 高効率電子デバイスの設計
- 新素材の研究と開発
本特許に基づき、異なる元素で置換されたSi原子を持つシリコンクラスター超格子を用いて、伝導特性をコントロールした半導体を開発することが可能です。これにより、エネルギー効率と性能を向上させた新しい半導体を生み出すことができます。
このシリコンクラスター超格子を電子デバイスの設計に活用することで、デバイスの性能を向上させることができます。特に、超格子の電気特性を変化させることで、デバイスのスイッチング速度やエネルギー効率を改善できます。
シリコンクラスター超格子の特性を利用して、新たな物質の研究と開発が可能です。特に、超格子内に形成された間隙空間や、Si原子の数などを調整することで、未知の物理的性質や化学的性質を持つ新素材を創出することが期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-564275 |
| 発明の名称 | シリコンクラスター超格子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2017/130974 |
| 登録番号 | 特許第0006883334号 |
- サブスク
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