国立大学法人北海道大学
ナノテクノロジーを駆使した新世代のスパッタリング装置
国立大学法人北海道大学
ナノテクノロジーを駆使した新世代のスパッタリング装置
本発明は、ナノグラフェンからなる1または複数の層がグラフェン上に島状に積層した積層体を含む支持体上に、一部を単原子で分散させるスパッタリング装置及びその製造方法に関するものです。スパッタリングが可能な原子を含むターゲットと、スパッタガスを導入する部分、電圧を印加する部分などを備えた装置を用いて、予め求められた条件下でスパッタリングを行います。この装置と方法は、高機能な触媒の製造、薄膜の形成、分子レベルでの化学的または物理的な反応の研究など、様々な分野での応用が期待されます。
つまりは、グラフェン上に単原子を島状に積層し分散する技術を用いたスパッタリング装置とその製造方法。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造化学ナノテクノロジー
- 高性能触媒の製造
- 薄膜材料の開発
- 化学反応の分子レベルでの研究
この装置と方法を使用することで、単原子が分散した粒子を製造することが可能になります。これにより、一般的にはバルク状態の金属とは異なる性質を持つ粒子を作り出すことができ、これらの粒子を用いて高機能な触媒を製造することが可能になります。
この技術は、単原子レベルでの制御が可能であり、非常に薄い膜の形成が可能です。そのため、新たな半導体材料や薄膜材料の開発に活用することができ、次世代の電子デバイスや光デバイスの開発に貢献することが期待されます。
この装置と方法は、単原子レベルでの粒子の分散を可能にします。これにより、化学反応の分子レベルでの研究が可能となり、新たな化学反応の発見や反応メカニズムの解明に寄与することが期待されます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-565507 |
| 発明の名称 | 支持体上に単原子が分散した構造体、支持体上に単原子が分散した構造体を製造する方法およびスパッタ装置 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人北海道大学 |
| 公開番号 | WO2017/135136 |
| 登録番号 | 特許第0006957022号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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