国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能なスピントロニクスデバイスを実現する強磁性トンネル接合体
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能なスピントロニクスデバイスを実現する強磁性トンネル接合体
つまりは、本特許は、高トンネル磁気抵抗を示す強磁性トンネル接合体とその製造方法について述べています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業情報通信機器製造業
- 高性能なスピントロニクスデバイスの製造
- 高トンネル磁気抵抗素子の開発
- 高品質な半導体素子の製造
この強磁性トンネル接合体は、スピントロニクスデバイスに適用することで、デバイスの性能を向上させることが期待されます。例えば、高速動作や大きな電流を流すことが可能なデバイスの製造に有効でしょう。
この技術は、高トンネル磁気抵抗を示す素子の開発に活用できます。具体的には、この強磁性トンネル接合体を用いることで、高いTMR比を示し、抵抗の小さい素子を開発することが可能となります。
この強磁性トンネル接合体とその製造方法は、半導体素子の製造にも適用可能です。特に、高品質な半導体素子を製造する際に、本特許の製造方法を用いることで、品質の向上が期待されます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-565561 |
| 発明の名称 | 強磁性トンネル接合体、これを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス並びに強磁性トンネル接合体の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | WO2017/135251 |
| 登録番号 | 特許第0006690838号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です