学校法人関西学院
革新的なグラフェン前駆体付きSiC基板の製造方法
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革新的なグラフェン前駆体付きSiC基板の製造方法
本特許は、SiC基板をSi蒸気圧下で加熱してエッチングし、その後グラフェン前駆体を形成する新たな製造方法を提供します。この方法では、SiC基板のステップの基端側から先端側に向かって均一にグラフェン前駆体が形成される特徴があります。さらに、S iC基板のS i面において隣接する4つのS i原子で構成される間形の1辺を6倍し、S i面に垂直な方向を回転軸として30度回転させた形状を最小パターンとしています。これにより、S i面のSi原子とグラフェン前駆体のC原子の配列パターンが重なる特徴を持ちます。また、この製造方法では、グラフェン前駆体とSiC基板の間に元素を挿入することで、前記グラフェン前駆体と前記S iC基板の結合を切断し、前記S iC基板上に前記グラフェン前駆体を介さずに、グラフェンを形成することが可能です。
つまりは、SiC基板上に均一にグラフェン前駆体を形成する革新的な製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業素材科学ナノテクノロジー
- 高性能半導体の製造
- 環境に優しい製造方法
- 高解像度の電子顕微鏡の開発
この技術は、グラフェンとSiC基板の組み合わせにより、半導体の性能を向上させることが可能です。具体的には、グラフェンの高い電子移動度とSiC基板の優れた熱伝導性を利用し、より高性能な半導体の製造を実現します。
本特許の製造方法は、エッチング工程をSi蒸気圧下で行うため、有害な化学物質の使用を避けることが可能です。これにより、環境に優しい製造プロセスを実現します。
この特許では、走査型電子顕微鏡の電子線を照射して得られるSEM像の明暗に基づいて、SiC基板がステップ構造を有しているか否かを判定する方法も提供しています。これにより、より高解像度の電子顕微鏡の開発に役立てることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-514704 |
| 発明の名称 | グラフェン前駆体付きＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板の表面処理方法 |
| 出願人/権利者 | 学校法人関西学院 |
| 公開番号 | WO2017/188382 |
| 登録番号 | 特許第0006708875号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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