国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な磁気抵抗素子とその製造法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な磁気抵抗素子とその製造法
本特許は、ホイスラー合金と特定の化合物を用いた磁気抵抗素子とその製造方法に関するものです。強磁性ホイスラー合金の層に特定の化合物半導体を組み合わせることで、電流に応じた値を出力する磁気抵抗素子を提供します。また、特定の磁性体からなる磁性層と、特定の化合物半導体の積層により、磁気記憶装置やスピントランジスタの製造も可能です。さらに、特定の工程を用いて磁気抵抗素子を製造する方法も提供します。これにより、高性能な磁気記憶装置やスピントランジスタの製造が可能となり、データストレージや電子デバイス分野などでの応用が期待されます。
つまりは、ホイスラー合金と特定の化合物を用いた磁気抵抗素子とその製造方法の提供
AIによる特許活用案
おすすめ業界 データストレージ電子デバイス半導体製造
- ハイパフォーマンス磁気記憶装置の開発
- 高効率のスピントランジスタの製造
- 次世代の半導体製造技術の開発
本特許の技術を用いることで、高性能な磁気記憶装置を開発することが可能になります。これにより、大容量かつ高速なデータの読み書きが可能となり、データセンターやクラウドストレージなどのデータストレージサービスの性能向上に寄与します。
本特許の技術を応用することで、高効率のスピントランジスタを製造することが可能です。これにより、電子デバイスの動作速度やエネルギー効率を大幅に向上させることができ、スマートフォンやパソコンなどの電子デバイスの性能向上に寄与します。
本特許の提供する磁気抵抗素子の製造方法を用いることで、次世代の半導体製造技術の開発を推進することが可能です。これにより、より高性能かつ効率的な半導体の製造が可能となり、半導体製造業界の競争力を強化します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-524175 |
| 発明の名称 | Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ２化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | WO2017/222038 |
| 登録番号 | 特許第0006803575号 |
- サブスク
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