国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な半導体装置、接触抵抗を最小限に！
国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的な半導体装置、接触抵抗を最小限に！
本発明は、n型導電型を有する半導体結晶の表面に設けられるオーミック性の高い接触の低いショットキー障壁を持つコンタクト構造に関するものです。特に、バンドギャップが1.2 eV以下のn型導電型を有する半導体結晶の表面に、電子濃度が1X10^3 cm^3未満の材料から成るコンタクト層が直接設けられています。この半導体装置は、半導体結晶がSiもしくはGeであり、主成分とする材料から成るコンタクト層を持つという特長があります。その結果、接触抵抗を極力下げることが可能です。これにより、半導体素子本来の性能向上を実効的に促進し、微細化に伴うコンタクト抵抗の上昇を抑制することができます。
つまりは、高いオーミック性を持つコンタクト構造を提供する半導体装置。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業テクノロジー研究開発
- 高性能半導体素子の開発
- 電子機器の性能向上
- エネルギー効率の改善
本特許の技術を活用し、半導体素子の微細化に伴うコンタクト抵抗の上昇を抑制し、半導体素子本来の性能向上を実効的に促進する高性能な半導体素子を開発することが可能です。
電子機器の主要部品である半導体の性能向上は、電子機器全体の性能向上に直結します。本特許の技術を活用することで、電子機器の性能向上を図ることが可能です。
本特許の技術を活用することで、半導体の接触抵抗を下げることができます。これにより、半導体を使用する電子機器のエネルギー効率を改善することが期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-536911 |
| 発明の名称 | 半導体装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2018/042707 |
| 登録番号 | 特許第0006778957号 |
- サブスク
- 譲渡
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