国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能窒化物半導体の製造技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能窒化物半導体の製造技術
本特許は、窒化物半導体の製造方法について説明しています。この製造法は、窒化物半導体の薄膜を高精度に形成することが可能で、その結果、窒化物半導体の電子移動度が高く、表面の粗さも制御されています。具体的には、AFMによる表面粗さ測定で得られるRMS値が5.0 nm以下で、電子移動度が60 cm*ン (V・s) 以上となる窒化物半導体を製造することが可能です。また、その窒化物半導体は、405nmの波長領域の光に対する吸光係数が2000cm以下となります。これにより、窒化物半導体は高い電子濃度を持つ一方で、光に対する吸収も抑えることが可能となります。さらに、n型オーミック電極金属に対するコンタクト抵抗も1X1010以下となります。
つまりは、高い電子移動度と精密な表面粗さを持つ窒化物半導体の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造通信機器製造
- 高性能半導体デバイスの製造
- 光学デバイスの製造
- 高効率電力デバイスの製造
本特許の製造方法を活用することで、高い電子移動度と精密な表面粗さを持つ窒化物半導体を製造することが可能となります。これにより、性能の高い半導体デバイスを製造することが可能となります。
本特許の窒化物半導体は、405nmの波長領域の光に対する吸光係数が2000cm以下となるため、光学デバイスの製造に利用することが可能です。具体的には、レーザダイオードや光センサなどの製造に活用することができます。
本特許の窒化物半導体は、n型オーミック電極金属に対するコンタクト抵抗が1X1010以下となるため、電力デバイスの製造に利用することが可能です。具体的には、電力トランジスタや電圧レギュレータなどの製造に活用することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-530815 |
| 発明の名称 | 窒化物半導体及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2018/042792 |
| 登録番号 | 特許第0006432004号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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