国立大学法人東北大学
高速・高品質な薄膜形成を実現するプラズマスパッタリング装置
国立大学法人東北大学
高速・高品質な薄膜形成を実現するプラズマスパッタリング装置
本特許は、長手方向において内径が拡大し端部または側部にガス導入口を備えた絶縁管と、該絶縁管の内径が拡大した領域に配され、該領域の壁面と交差しない長手方向の磁力線構造を形成する静磁場を印加可能な第 1 の電磁石または永久磁石群と、2MHz~100MHz帯の周波数を有する高周波電力供給装置と、絶縁管周囲に設置された誘導結合性高周波アンテナとを備えるプラズマ発生装置に関して述べています。さらに、この装置を使用したプラズマスパッタリング方法も詳細に説明されています。これにより、半導体デバイスや磁気記録デバイスの製造分野において、薄膜形成の高速化と高品質化が可能となります。
つまりは、本発明は、高周波電力供給装置と静磁場印加機構を備えたプラズマ発生装置、及びその装置を使用したプラズマスパッタリング方法に関する。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業研究開発業
- 高品質な薄膜製品の生産強化
- 生産コストの削減
- 新規薄膜製品の開発
このプラズマスパッタリング装置を導入することで、半導体や電子部品の薄膜形成プロセスにおける品質向上と生産効率の強化が可能となります。これにより、一貫した高品質な製品を一定の生産速度で供給し続けることができます。
高速で高品質な薄膜形成が可能なこの装置を使用することで、生産ラインの効率が向上します。これにより、製品単位の生産コストを削減し、利益率を向上させることが期待できます。
本装置の導入は、新たな薄膜材料の開発や既存材料の性能向上に寄与します。これにより、新規製品の開発や既存製品の改良による市場競争力の強化が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-565548 |
| 発明の名称 | プラズマ発生装置、プラズマスパッタリング装置及びプラズマスパッタリング方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 | WO2018/143164 |
| 登録番号 | 特許第0007016537号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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