国立研究開発法人科学技術振興機構
高品質化合物半導体の製造技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
高品質化合物半導体の製造技術
本特許は、2元系、3元系または4元系の化合物半導体の製造方法を提供しています。特に、Gaを含み、さらにAl及びPまたはInを含有する化合物半導体の製造方法について詳述しています。本製造方法においては、プロセス雰囲気に酸素を含むことなく、チャンバ内の残留成分に含まれる酸素成分、またはターゲット金属に含まれる微量な酸素成分を用いてスパッタリングを行います。また、本特許は、化合物半導体が用いられた導電部と電極とが接続された構造、およびコンタクト構造が備えられた半導体素子も提供しています。
つまりは、本特許は、2元系、3元系または4元系の化合物半導体の製造方法について述べています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造材料科学
- 高品質化合物半導体の製造
- 次世代電子デバイスの開発
- 半導体製造プロセスの改善
本特許の技術を用いて、高品質な化合物半導体を製造する。特に、高電子移動度と低比抵抗を有する化合物半導体を製造することで、電子デバイスの性能を向上させることができます。
本特許の技術を用いて、次世代の電子デバイスを開発する。特に、2元系、3元系または4元系の化合物半導体を用いた高耐圧で低オン抵抗の電子デバイスを開発することで、業界の競争力を向上させることができます。
本特許の技術を用いて、半導体の製造プロセスを改善する。特に、酸素ガスをチャンバ内に供給することなく、チャンバ内の残留成分に含まれる酸素成分、またはターゲット金属に含まれる微量な酸素成分を用いたスパッタリングにより、製造コストを削減し、製造効率を向上させることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-521337 |
| 発明の名称 | 化合物半導体、コンタクト構造、半導体素子、透明電極、化合物半導体の製造方法及びスパッタガン |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2018/221711 |
| 登録番号 | 特許第0006788302号 |
- サブスク
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