国立大学法人静岡大学
高効率半導体装置とその製造方法: パフォーマンス向上を実現
国立大学法人静岡大学
高効率半導体装置とその製造方法: パフォーマンス向上を実現
この特許は、効率的な記憶容量の増大と高性能化を可能にする半導体装置とその製造方法について説明しています。具体的には、複数の第3と第4の配線部が、第1と第2の外部端子と交互に電気的に接続される構成を有しています。さらに、これら配線部の線幅または間隔も特定の条件を満たすように設定されています。また、半導体装置の製造方法も詳細に述べられており、記憶素子用材料を用いて複数の配線部を形成し、その後絶縁体を形成するといった工程が含まれています。これにより、記憶容量を効率的に増やすことが可能となり、また装置の全体的なパフォーマンスも向上します。
つまりは、外部端子と交互に電気的に接続される配線部を持つ半導体装置とその製造方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体エレクトロニクスIT
- メモリ容量の高効率化
- デバイスのパフォーマンス向上
- 効率的な製造プロセスの確立
この半導体装置は、記憶素子の効率的な配置と高性能化を実現するため、メモリ容量を効率的に増やしたい半導体製造業者にとって有用です。
この半導体装置の導入により、デバイスの全体的なパフォーマンスが向上します。これは、エレクトロニクス製品の開発者や製造者にとって魅力的な点でしょう。
この特許に記述されている製造方法は、半導体装置の製造プロセスを効率化し、生産コストを削減する可能性があります。これにより、半導体製造業者は製品の競争力を高めることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-539453 |
| 発明の名称 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 | WO2019/044705 |
| 登録番号 | 特許第0007109795号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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