国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子の製造方法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子の製造方法
この特許は、アルミニウムを含む鉄基合金属と異なる金属層を用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子の製造方法を提供します。この方法は、基板の上に良導電体からなる下地層を形成し、その上に鉄基合金属を成膜する工程から始まります。さらに、第1の金属膜を成膜し、その上にアルミニウムを含む第2の合金膜を成膜する工程が続きます。これらの膜を酸化処理することで、垂直磁化層が形成されます。最後に、垂直磁化層の上に非磁性層を形成します。この特許の製造方法により、優れた磁気特性を持つ垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子の製造が可能となります。これにより、スピントロニクスデバイスや不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ（MRAM）の製造においても利用可能です。
つまりは、アルミニウムを含む鉄基合金属と異なる金属層を用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子の製造方法を提供。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業情報記憶装置製造業
- 高性能MRAMの製造
- スピントロニクスデバイスの開発
- 高密度記憶装置の開発
この特許の製造方法を用いて、優れた磁気特性を持つMRAMを製造できます。これにより、高速かつ大容量のデータ記憶が可能となり、情報処理技術の進歩に貢献します。
この製造方法は、スピントロニクスデバイスの製造にも適用可能です。アルミニウムを含む鉄基合金属と異なる金属層を用いることで、磁気抵抗性や磁気トルクの特性を向上させることが期待できます。
この特許の製造方法は、高密度で大容量の記憶装置の開発にも対応可能です。優れた磁気特性を持つ垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子を用いることで、一層高密度な情報記憶が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-540909 |
| 発明の名称 | 垂直磁化膜の前駆体構造、垂直磁化膜構造、およびその製造方法、これらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合膜およびその製造方法、ならびにこれらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | WO2019/049740 |
| 登録番号 | 特許第0006873506号 |
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- ライセンス
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