国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な気密封止技術を持つ基板接合方法
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な気密封止技術を持つ基板接合方法
本特許は、基板の内部に半導体素子、光学素子、MEMS、ガスセル等の素子を封じ込めたチップの製造工程で必要な、基板同士の気密封止のための接合方法に関するものです。これは、特に脱ガス処理の加熱温度を200℃以上300℃以下に設定し、金属接合層の膜厚を50nm以下にすることで、より低い温度での接合を可能にします。また、金属接合層は、Auを含み、表面粗さが二乗平均粒さで0.6nm以下であり、その結果、高品質な封止が可能となります。さらに、基板上の金属接合層同士が接合された接合部を備え、封止構造も提供します。
つまりは、2枚以上のウェハサイズの基板を封止し、内部に半導体素子、光学素子、MEMS、ガスセル等の素子を封じ込める技術。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業光学機器製造業MEMS製造業
- 高精度封止需要のある製品の製造
- 高精度加工技術の開発
- 新規製品の開発
本技術は、半導体素子、光学素子、MEMS、ガスセル等の素子を封じ込める高精度の気密封止が必要な製品の製造に活用できます。これにより、製品の品質向上と生産効率の向上を図ることが可能です。
本技術の応用により、より精密な基板接合技術の開発が可能となります。これにより、新たな産業用途や商品開発に対応することが可能となり、企業の競争力を高めることができます。
本技術は、新規製品の開発にも活用できます。例えば、新たな半導体素子や光学素子を開発し、それを基板に封じ込めることで、新しい機能や性能を持った製品を開発することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-542064 |
| 発明の名称 | 基板の接合方法及び封止構造 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | WO2019/054368 |
| 登録番号 | 特許第0007028473号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です