国立研究開発法人科学技術振興機構
透明でP型半導体性を持つヘテロ元素含有グラフェン
国立研究開発法人科学技術振興機構
透明でP型半導体性を持つヘテロ元素含有グラフェン
本特許は、X線光電子分光法に基づき、須素（C）とヘテロ元素（X）の原子数比が0.1以上であるヘテロ元素含有グラフェンの製造方法について記載しています。また、ラマン分光分析に基づいて特性を評価し、その特性に基づいて用途を見つけることが可能です。窒素の基底面へのドープされている化学結合状態が陽イオン性窒素の可能性が提示でき、ホール効果測定によりキャリアタイプがp型と判定されることが特徴の一つです。また、ラマン分光分析によって、特定の波長のラマン分光分析の結果に基づいて、特定の強度比や半値幅を有することが確認されています。
つまりは、ラマン分光分析に基づいた特性を持つ、窒素を含むヘテロ元素含有グラフェンの製造方法とその特性
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界ナノテクノロジー化学業界
- 透明なP型半導体の開発
- 高性能触媒の開発
- グラフェンベースのナノデバイスの開発
この特許のヘテロ元素含有グラフェンは透明なP型半導体としての性質を示すため、新たな透明なP型半導体の開発に役立つ可能性があります。特に、ディスプレイやソーラーパネルなどの透明電子機器において新たな材料として利用可能です。
ヘテロ元素含有グラフェンは、触媒材料としての利用が考えられています。特に、窒素を含むヘテロ元素含有グラフェンは、触媒としての性能が強化される可能性があり、新たな高性能触媒の開発に寄与すると考えられます。
本特許のグラフェンは、特定の性質を持つことから、グラフェンベースのナノデバイスの開発に利用可能です。特に、原子レベルでの制御が可能なので、精密なデバイスの開発に寄与すると考えられます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-545161 |
| 発明の名称 | ヘテロ元素含有グラフェン |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2019/066013 |
| 登録番号 | 特許第0007036448号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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