国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的なトンネル電界効果トランジスタ
国立研究開発法人科学技術振興機構
革新的なトンネル電界効果トランジスタ
本特許は、バンドギャップと半導体層を特徴とするトンネル電界効果トランジスタについて述べています。この半導体層は、特定の半導体（p型、n型、I V族、II一V 1I族など）で構成されています。また、第 1 半導体層と第 2 半導体層の間には接合絶縁層が配置されています。特に、第 2 半導体層のバンドギャップは、第 1 半導体層のバンドギャップよりも大きくなっています。さらに、ゲート絶縁層およびゲート電極層は第 1 領域から第 2 領域に拡がっています。これらの特徴により、電力消費を抑えつつ高い性能を発揮する新世代のトランジスタが提供されます。
つまりは、バンドギャップと半導体層を特徴とする、新世代のトンネル電界効果トランジスタ
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体業界IT業界
- ハイパフォーマンスな電子デバイスの開発
- 次世代の半導体素材の研究開発
- 高効率なエネルギー変換装置の設計
本特許の技術を利用することで、電力消費を抑えつつ高い性能を発揮する電子デバイスを開発することが可能になります。これは、省エネルギーを求める現代社会において大きな価値をもたらします。
本特許の半導体層とバンドギャップの特性を活用し、新たな半導体素材の研究開発を行うことができます。これにより、さらなる電子デバイスの性能向上を実現することが可能です。
本特許の技術を活用して、電子デバイスのエネルギー変換効率を飛躍的に向上させることができます。これにより、エネルギー消費を大幅に削減し、持続可能な社会の実現に寄与することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-557267 |
| 発明の名称 | トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2019/107411 |
| 登録番号 | 特許第0007164204号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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