国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な半導体装置の製造法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な半導体装置の製造法
本特許は、絶縁膜の誘電率が高く、バンドギャップが広く、界面準位を作りにくく、リーク電流特性に優れるMIS型半導体装置の製造方法に関するものです。特に、絶縁体層と導電体層を含む基板上に形成される半導体層の製造が含まれます。また、特許ではハフニウムフッ化物やランタンフッ化物などの物質を絶縁膜に含むことで、優れた電気特性と製造効率を得ています。これにより、半導体業界におけるデバイスの性能改善と製造コストの削減が期待できます。
つまりは、MIS型半導体装置の製造方法とその使用に関する特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業産業機器製造業
- 高性能半導体デバイスの開発
- コスト効率の良い半導体製造プロセスの構築
- 省エネルギーの電子機器の開発
本特許の製造方法を用いることで、高性能な半導体デバイスを開発することが可能です。これにより、より高速で効率的な電子機器の製造が可能となり、競争力を向上させることができます。
本特許の製造方法は、特定の物質を絶縁膜に含むことで優れた電気特性を得ることができるため、製造コストを削減しながら高品質な半導体を製造することが可能です。これにより、製造業者はよりコスト効率の良い製造プロセスを構築することができます。
本特許の製造方法を用いることで、リーク電流特性に優れた半導体デバイスを製造することが可能です。これにより、省エネルギーの電子機器の開発が可能となり、エネルギー効率の改善に寄与できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-565774 |
| 発明の名称 | ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | WO2019/142581 |
| 登録番号 | 特許第0006846834号 |
- サブスク
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