国立研究開発法人科学技術振興機構
高精度・高性能なナノギャップ電極の生成技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
高精度・高性能なナノギャップ電極の生成技術
本特許は、超微細な金属粒子を使用してナノギャップ電極を生成する技術に関して述べています。特に、金と白金の金属粒子を結合させて作る電極層に着目し、その粒子の一端から他端までの幅が10nm以下の大きさに成長させることで、高精度なナノギャップ電極を形成します。また、無電解メッキ液の中に金属イオンと還元剤を混ぜて、金属粒子が形成されるプロセスも含まれています。この技術により、高性能で安定した電子デバイスの製造が可能となります。
つまりは、微細な金属粒子を利用した画期的なナノギャップ電極の製作法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業研究開発業
- 高性能電子デバイスの製造
- 医療機器の精密化
- 研究開発への応用
本技術を利用して、高精度なナノギャップ電極を持つ電子デバイスを製造することが可能です。これにより、電子デバイスの性能向上やサイズ縮小を実現できます。
本技術を医療機器の製造に応用することで、より精密で高性能な医療機器の製造が可能となります。特に、微細な部位への刺激や観察が必要な医療分野での利用が期待されます。
本技術は、ナノスケールの物質の挙動を詳細に解析するための研究開発にも使用できます。特に、物質の微細な構造や電気的性質を研究するための高精度な計測装置の製造に対する応用が期待されます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2020-503629 |
| 発明の名称 | ナノギャップ電極及びその作製方法、並びにナノギャップ電極を有するナノデバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2019/168123 |
| 登録番号 | 特許第0006763595号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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