国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能な単分子トランジスタの登場
国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能な単分子トランジスタの登場
この特許は、第1および第2の電極層が白金で形成され、第1、第2および他の金属粒子が金であることを特徴とする単分子トランジスタに関するものです。金属粒子は半球形で、その曲率半径は12nm以下です。また、金属粒子は電極層の先端部分から突出して配置され、白金と金は接触面で金属結合を形成しています。さらに、共役分子の長さは5nm以下で、一端と他端に金属粒子と化学結合する元素を含んでいます。これらの特性により、高度な電子制御と微細なスケールが可能となり、電子デバイスの高性能化と小型化に大いに貢献するでしょう。
つまりは、金と白金を用いた革新的な単分子トランジスタの特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工学半導体産業ナノテクノロジー
- 高性能化した電子デバイスの開発
- 高度なセンサーの開発
- ナノスケールの電子回路の実現
この単分子トランジスタは、その高い電子制御能力と微細なスケールを活用して、より高性能で小型の電子デバイスを開発することが可能です。これにより、パソコンやスマートフォンなどの電子機器の性能向上と小型化が進むでしょう。
この単分子トランジスタは、その高い感度と微細なスケールを活用して、非常に高度なセンサーを開発することが可能です。これにより、医療や環境分野での精密な測定が可能となります。
この単分子トランジスタの微細なスケールは、ナノスケールの電子回路の実現に寄与します。これにより、より小型で、しかも高性能な電子デバイスの開発が進むでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2020-503630 |
| 発明の名称 | 単分子トランジスタ |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2019/168124 |
| 登録番号 | 特許第0006799880号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です