慶應義塾
革新的なスピントロニクスデバイスとその応用

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革新的なスピントロニクスデバイスとその応用
本特許は、スピントロニクスデバイス、磁気メモリおよび電子機器に関する革新的な技術を提供します。スピントロニクスデバイスは、特定の金属群から選択された材料で構成される導電層を持つとともに、第一の導電層は主に銅を含み、第二の導電層は主に酸化銅を含むなど、その構成材料が特定化されています。また、磁気メモリでは、スピントロニクスデバイスからのスピン流を強磁性層に注入して磁気モーメントを反転させることによりビット書き込みを行います。さらに電子機器は、この磁気メモリを搭載しています。
つまりは、高度なスピントロニクスデバイスとそれを利用した磁気メモリおよび電子機器
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業データストレージ業界コンピュータハードウェア業界
- 高速かつ効率的なデータストレージ装置の開発
- ハイパフォーマンスな電子機器の製造
- 高密度データ記憶技術の開発
本特許技術を利用することで、磁気メモリによる高速かつ効率的なデータストレージ装置の開発が可能です。特に、大量のデータを高速に書き込み、読み出す必要があるデータセンターやクラウドサービスのインフラストラクチャに有用です。
本特許技術を活用することで、ハイパフォーマンスな電子機器の製造が可能となります。特に、磁気メモリを搭載することで、高速なデータ処理と省エネルギーが可能となるスマートフォンやパソコンの製造に有効です。
本特許技術を用いることで、高密度でのデータ記憶が可能となる新たなデータ記憶技術の開発が可能です。これにより、限られた物理的スペース内でより多くのデータを保存することが可能となり、モバイルデバイスやウェアラブルデバイスなどの小型化を進めることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2020-541276 |
発明の名称 | スピントロニクスデバイス、磁気メモリ及び電子機器 |
出願人/権利者 | 慶應義塾 |
公開番号 | WO2020/050329 |
登録番号 | 特許第0007352293号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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