国立研究開発法人科学技術振興機構
高速・大容量・低消費電力の未来型メモリ装置
国立研究開発法人科学技術振興機構
高速・大容量・低消費電力の未来型メモリ装置
この特許は、複数の不揮発性記憶素子を持つ不揮発性記憶装置に関するものです。各不揮発性記憶素子は、金属酸化物を含むチャネル層と、前記チャネル層に接する酸化ハフニウムを含む強誘電体層、そして前記強誘電体層を介して前記チャネル層に対向するゲート電極を備えています。装置は高速かつ大容量の情報通信を可能にし、家電製品の小型化にも対応できます。さらに、装置の低消費電力化により、エネルギー効率の向上も実現します。特に、ゲート絶縁層として強誘電体記憶素子を用いることで、不揮発性メモリの需要拡大に対応できます。
つまりは、金属酸化物と酸化ハフニウムを使用した高性能の不揮発性記憶装置を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 家電コンピューター情報通信
- 小型家電製品への応用
- サーバーシステムへの応用
- IoTデバイスへの応用
この不揮発性記憶装置は小型化にも対応しており、家電製品への組み込みに適しています。これにより、家電製品の性能を向上させるとともに、消費電力を抑えることが可能です。
この装置は高速かつ大容量の情報通信を可能にするため、サーバーシステムに組み込むことでデータセンターの効率化に貢献します。また、低消費電力化により、運用コストの削減も期待できます。
IoTデバイスへの組み込みにより、大量のデータを効率的に処理し、デバイス間の高速な情報通信を実現します。エネルギー効率の良さが求められるIoTデバイスには最適の技術です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2021-537601 |
| 発明の名称 | 不揮発性記憶装置及びその動作方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | WO2021/024598 |
| 登録番号 | 特許第0007360203号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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