日本放送協会
革新的な半導体膜演算技術
日本放送協会
革新的な半導体膜演算技術
本特許は、半導体膜のフラットバンド条件でのホール密度、電子密度、正に帯電したドナー型欠陥のディープステートの密度、負に帯電したアクセプタ型欠陥のディープステートの密度、及び負に帯電したアクセプタ型欠陥のテールステートの密度を算出するための方程式に基づいた技術です。これにより、半導体膜の電荷担体密度を精密に算出することが可能となります。さらに、ポテンシャル分布、キャリア分布密度、キャリア面密度も算出することができ、半導体膜の特性をより詳細に理解することが可能になります。この技術は、半導体技術の進化を促進し、より効率的かつ精密な半導体製品の開発に寄与します。
つまりは、一連の方程式を用いて半導体膜の特性を分析するための特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品マイクロエレクトロニクス
- 高精度半導体製品の開発
- 半導体の品質検査・評価
- 半導体研究・教育の支援
本特許の技術を活用することで、半導体膜の特性をより詳細に理解し、それに基づいて高精度な半導体製品を開発することが可能になります。
半導体製品の品質を確保するために、本特許の技術を用いて半導体の特性を評価し、それに基づいて品質検査を行うことが可能です。
本特許の技術は、半導体に関する研究や教育にも活用できます。半導体の性質を詳細に理解することは、新たな半導体技術の開発や、次世代の半導体エンジニアの教育に寄与します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2011-280327 |
| 発明の名称 | ドレイン電流のシミュレーション装置及びドレイン電流のシミュレーションプログラム |
| 出願人/権利者 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | 特開2013-131640 |
| 登録番号 | 特許第0005906079号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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