大陽日酸株式会社
先進的な炭化天素除去方法の特許
大陽日酸株式会社
先進的な炭化天素除去方法の特許
本特許は、半導体製造における炭化天素除去方法について詳述しています。具体的には、炭化天素を形成後、成膜装置の一部に堆積した炭化天素を除去する手法を提供しています。除去工程後、炭化天素膜を再び形成し、基板を取り出す工程を順次行います。さらに、付着物除去工程後、成膜チャンバ内を水素により加熱パージする工程が含まれています。この加熱パージ工程では、水素をプラズマ化させることが特徴です。これらの手法は、炭化天素の堆積を効率良く除去し、半導体製造の品質と生産性を向上させることが可能です。
つまりは、半導体製造における炭化天素除去方法を効率化する特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子部品製造業自動車業界
- 半導体製造工程の最適化
- 電子部品製造の改善
- 特許ライセンスの提供
本特許の炭化天素除去方法を半導体製造工程に導入することで、生産性と品質を向上させることが可能です。特に、高温で動作する半導体素子の製造において有用でしょう。
自動車用の電子部品の基幹材料としての半導体製造において、本特許の炭化天素除去方法を用いることで、製造効率を向上させることができます。
本特許の炭化天素除去方法のライセンスを提供することで、他の半導体製造企業がこの技術を利用できるようにし、広く半導体業界全体の生産性向上に貢献することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-127018 |
| 発明の名称 | 炭化珪素除去方法 |
| 出願人/権利者 | 大陽日酸株式会社 |
| 公開番号 | 特開2013-251487 |
| 登録番号 | 特許第0005933347号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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