国立大学法人広島大学
シリコンナノ粒子を活用した次世代発光増強基板＆発光素子
国立大学法人広島大学
シリコンナノ粒子を活用した次世代発光増強基板＆発光素子
本発明は、強い局在電場を生み出すシリコン（Si）ナノ粒子を用いた発光増強基板及び発光素子に関するものである。この発明では、シリコンナノ粒子が光照射を受けると、その光照射により生成した散乱光を生じる局在電場を発生し、さらに消光を防ぐことが可能であることが明らかにされている。これにより、発光体の発光強度を増強し、同時に消光を強く抑制することが可能となる。これは、金属ナノ粒子を使用した従来の方法と比較して、光の増強度を大幅に向上できる可能性を秘めている。
つまりは、光の強度を増強し、消光を防ぐシリコンナノ粒子を用いた発光増強基板及び発光素子の開発
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体光学ナノテクノロジー
- 高性能表示デバイスの開発
- 効率的な光電変換素子の開発
- バイオイメージング分野への応用
強い局在電場を発生し、消光を防ぐシリコンナノ粒子の利用は、発光強度を増強し、高解像度で明るい表示デバイスの開発に貢献する可能性があります。
シリコンナノ粒子を活用した発光素子は、光電変換効率を向上させる可能性があり、太陽電池などの再生可能エネルギー技術の発展に寄与する可能性があります。
発光強度の増強と消光の抑制は、バイオイメージング分野において、より明瞭で高解像度なイメージングを可能にすると共に、試料への光照射によるダメージを最小限に抑えることができる可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-174848 |
| 発明の名称 | 発光増強基板及び発光素子 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人広島大学 |
| 公開番号 | 特開2014-035813 |
| 登録番号 | 特許第0006027815号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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