国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体モジュールで高パワー化を実現
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体モジュールで高パワー化を実現
本特許は、半導体チップと一対のモジュール基板を活用した新型半導体モジュールに関するものです。半導体チップは、固相-固相接合用の電極を備えた第一の電極面と、リフロー接合の電極を備えた第二の電極面を有します。また、一対のモジュール基板は、固相-固相接合用の電極とフリップチップにより接合された表面配線層の電極を備える第一のモジュール基板と、リフロー接合用の電極とはんだリフローにより接合された表面配線層の電極を備える第二のモジュール基板からなります。さらに、半導体チップの少なくともいずれかの電極面には、面積の異なる複数の電極が形成されています。これにより、高電流、高密度化が進展するパワー素子に対応し、パワーモジュールの高パワー化を実現します。
つまりは、高パワー素子用の新型半導体モジュールが、パワーチップの実装方法を革新し、高電流・高密度化を可能にします。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業家電製品製造業自動車産業
- 高性能電子機器の開発
- 電子部品の生産効率向上
- 高電流対応の新素材開発
この特許技術を利用した新型半導体モジュールを用いることで、高電流・高密度化を実現した高性能電子機器の開発が可能になります。
この半導体モジュールは、電子部品の生産効率を向上させる可能性があります。面積の異なる複数の電極を形成することで、電流密度を高め、より小型の部品でも高いパワーを持つことが可能になります。
この半導体モジュールは、高電流・高密度化に対応した新素材の開発に活用できます。特に、SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体の性能を大きく上回る新素材の開発に役立つでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-261438 |
| 発明の名称 | 半導体モジュール |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2014-107506 |
| 登録番号 | 特許第0006041262号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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