国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体製造：効率的な研磨と切断技術
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な半導体製造：効率的な研磨と切断技術
本特許では、半導体ウエハの研磨と切断における新しい手法を提案しています。特に、硬度が非常に高い半導体材料であるS iCの研磨と切断に必要とされていたダイヤモンドやCBNの代わりに、比較的安価なアルミナ、炭化ケイ素、二酸化ケイ素(シリカ)、酸化ジルコニウム、酸化セリウムなどを使用することで、製造コストを抑えつつ、効率的な研磨と切断を可能にします。また、この技術では、S iCに電解液を浸漬し、電解加工を行うことで、基材へのダメージを低減し、精度の高い加工を実現します。これにより、半導体製造における歩留まりの改善と生産性の向上が期待できます。
つまりは、本特許は、半導体ウエハの効率的な研磨と切断を可能にし、基材へのダメージを低減する技術について述べています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業マイクロエレクトロニクス業界
- 低コストな半導体製造プロセスの開発
- 高品質な半導体製品の製造
- 環境負荷の低減
この特許を活用することで、半導体ウエハの研磨と切断においてコストを大幅に削減することができます。これにより、製造コストを下げるとともに、生産性を向上させることが可能です。
この技術を用いることで、基材へのダメージを最小限に抑えることができます。これにより、高品質な半導体製品を製造することが可能となり、製品の信頼性と競争力を高めることができます。
ダイヤモンドやCBNのような高価な材料の使用を減らし、代わりに比較的安価で環境に優しい材料を使用することで、半導体製造プロセスの環境負荷を低減することができます。これにより、環境に配慮した製造プロセスの実現が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2012-271341 |
| 発明の名称 | 半導体ウエハの加工装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2014-113677 |
| 登録番号 | 特許第0006041301号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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