国立研究開発法人産業技術総合研究所
ハイパフォーマンス酸化物ドットパターンの新時代
国立研究開発法人産業技術総合研究所
ハイパフォーマンス酸化物ドットパターンの新時代
本特許は、高効率かつ精密な酸化物ドットパターンの作製方法に関するものであり、半導体装置などでの使用が見込まれます。特に、遅延時間が10s以下であること、第一及び第二のパルスレーザー光が酸化物膜が光吸収を有する波長であること、第二のパルスレーザー光の一照射区画の面積が100X100m以下であることといった特徴を持つ。この方法は、転写用基板が酸化物膜に対して対向配置され、特定のパルスレーザー光を透過させて酸化物膜が表面に形成された透明板に照射することで、酸化物からなるドットを転写するというもので、その結果、面内平均直径が0.5一107mの酸化物ドットパターンの作製が可能となる。
つまりは、高効率、精密な酸化物ドットパターンの作製方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子部品製造光学産業
- パーツ精密加工の改良
- 新素材の開発
- 環境負荷の軽減
酸化物ドットパターンの精密な作製方法として活用することで、電子デバイスや半導体のパーツ製造過程を改良し、製品の品質と生産効率を向上させることが可能となります。
パルスレーザー光を用いたこの技術を利用して、新たな酸化物ベースの素材を開発し、その特性を生かした新製品の開発に繋げることができます。
従来の高真空多段プロセスや多量の薬液による方法に比べ、この技術は環境負荷が低いという利点があります。そのため、製造プロセスの環境負荷を軽減したい企業におすすめの技術です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-049567 |
| 発明の名称 | 酸化物ドットパターンの作製方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2014-172087 |
| 登録番号 | 特許第0006041145号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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