国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な圧電MEMSデバイス、高いc軸配向性を持つ圧電薄膜を実現
国立研究開発法人産業技術総合研究所
革新的な圧電MEMSデバイス、高いc軸配向性を持つ圧電薄膜を実現
本特許は、導体加工プロセスにより作製される構造体、支持基板、圧電薄膜を備える圧電MEMSデバイスについて提供します。特に、圧電薄膜は構造体において少なくとも機能部に設けられ、持基板の成形後に行われる交流電圧印加処理または片側電圧印加処理により、c軸配向性が高められています。これにより、圧電特性の高いデバイスを実現します。また、圧電薄膜は、チタン酸ジルコン酸鉛からなり、正方卓を含むモルフォトロビピック相境界組成とされています。本特許はまた、該圧電MEMSデバイスの製造方法も開示しており、支持基板を成形した後に交流電圧印加処理または片側電圧印加処理を行うことを特徴としています。
つまりは、本特許は高いc軸配向性を持つ圧電薄膜を実現するための圧電MEMSデバイスとその製造方法について述べています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業半導体製造業医療機器製造業
- 高性能な圧電デバイスの開発
- 高度な半導体製造技術の開発
- 医療機器の開発
本特許の製造方法を用いて、高いc軸配向性を持つ圧電薄膜を持つ圧電デバイスを開発することが可能です。これにより、高い圧電特性を持つデバイスを実現し、さまざまなアプリケーションでの使用に適した製品を開発することが可能になります。
本特許の技術を用いて、高度な半導体微細加工技術を開発することが可能になります。具体的には、高いc軸配向性を持つ圧電薄膜を持つ圧電デバイスの製造プロセスを開発し、そのプロセスを利用してより高性能な半導体デバイスを製造することが可能になります。
本特許の技術を応用し、高い圧電特性を持つデバイスを用いた医療機器を開発することが可能です。例えば、高精度なセンサーやアクチュエータなどの部品を製造することができ、これらの部品を組み込んだ医療機器を開発することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2014-033068 |
| 発明の名称 | 圧電ＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2014-187362 |
| 登録番号 | 特許第0006325280号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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