古河機械金属株式会社
革新的な半導体製造技術
古河機械金属株式会社
革新的な半導体製造技術
本特許は、エッチング液を用いて保護膜と下地基板の一部を除去し、縦長ピットの開口側を拡張して幅広ピット部分を形成する工程、さらに保護膜を除去する工程を含むIII族窒化物半導体層の製造方法を提供します。ピット形成工程の後には、複数の漏斗形状ピットの少なくとも一部が縦長ピット部分において転位と繋がるように設計されています。さらに、第2の保護膜形成工程も含まれ、これは下地基板の第2の面上にエッチング液にエッチングされ難い保護膜を形成します。最終的には、III族窒化物半導体を横方向に成長させる工程が続きます。この方法は、半導体製造における品質と効率性を向上させる可能性があります。
つまりは、独自のエッチング技術により、高品質なIII族窒化物半導体層を製造する方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工業半導体産業ハイテク産業
- 高品質半導体製造への応用
- エネルギー効率の向上
- 高性能電子機器の開発
この特許を活用することで、半導体製造業者は高品質なIII族窒化物半導体層を効率的に製造することが可能となります。これにより製品の信頼性を向上させ、顧客満足度を高めることが可能です。
III族窒化物半導体はエネルギー効率が高いとされています。この特許を利用して製造された半導体を用いることで、エネルギー消費を抑えた製品開発が可能となり、エネルギー効率の高い製品を市場に投入することができます。
本特許による半導体製造技術は、高性能な電子機器の開発に活用することができます。特に、高速で大量のデータを処理する必要があるスーパーコンピューターやサーバー、高性能スマートフォンなどの開発に有用です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2013-212913 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2015-074591 |
| 登録番号 | 特許第0006178206号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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