国立大学法人山口大学
結晶品質が良好な半導体基板の製造方法
国立大学法人山口大学
結晶品質が良好な半導体基板の製造方法
本発明は、半導体基板の製造方法に革新をもたらすものです。従来のGaN基板の製造方法では、結晶品質が十分でないという課題がありました。本発明では、ベース基板の表面を口径が1-500nmの多数の開口が形成されたシリコン窒化膜の薄膜で被覆し、その表面から低温でGaNの半導体を堆積させることで結晶品質が良好な半導体層を形成します。さらに、その半導体層から高温でGaNの半導体を結晶成長させることで、結晶品質が優れた半導体層を得ることができます。これにより、GaN基板の市場規模が小さいという問題を解決し、より高品質な半導体基板の製造が可能となります。
つまりは、ニーズが高まるGaN基板の製造方法について、結晶品質が良好な半導体基板を得るための新たな手法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業研究開発業
- 高品質GaN基板の製造
- 研究開発への活用
- 半導体製造設備の開発・改良
本発明の製造方法を用いて、結晶品質が優れたGaN基板を製造することができます。これにより、高性能な半導体デバイスの製造が可能となり、半導体製造業の競争力を向上させることができます。
本発明の製造方法は、新たな半導体素材の開発や、結晶成長の研究において有用な手法となります。これにより、新たな半導体素材の開発や、半導体の性能向上に貢献することができます。
本発明の製造方法を元に、半導体製造設備の開発・改良を行うことができます。これにより、より効率的かつ高品質な半導体基板の製造が可能となり、半導体製造業の生産性向上に貢献することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-149146 |
| 発明の名称 | 半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | 特開2017-030984 |
| 登録番号 | 特許第0006694210号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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