古河機械金属株式会社
革新的な製法で生まれたIII族窒化物半導体基板
古河機械金属株式会社
革新的な製法で生まれたIII族窒化物半導体基板
本特許は、III族窒化物半導体基板およびその製造方法に関して提供します。従来の技術では、単結晶GaN膜の表面（成長面）にピットが残存する問題を抱えていました。本発明では、成長面において土C面が露出した平坦面と、前記平坦面から傾いており、土C面と異なる面方位の非土C面が露出した傾斜面を有するIII族窒化物半導体基板を提供します。この構成により、ピットの存在を抑制し、デバイスの性能にばらつきが生じる問題を解決します。また、本特許では、そのようなIII族窒化物半導体基板の製造方法も開示しています。具体的には、下地基板上に炭素層と炭化物層を形成し、炭化物層を窒化した後、III族窒化物半導体層を形成します。この際、高温で加熱し、下地基板とIII族窒化物半導体層を分離します。
つまりは、優れた面方位制御で、基板の表面にピットを残さないIII族窒化物半導体基板とその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業通信機器製造業
- 高品質な半導体デバイスの製造
- デバイス製造プロセスの効率化
- 新素材の開発
本特許のIII族窒化物半導体基板は、ピットが存在しないため、半導体デバイスの性能にばらつきが生じる問題を解消します。これにより、高品質かつ一貫した性能を持つ半導体デバイスを製造することが可能となります。
本特許の製造方法は、下地基板とIII族窒化物半導体層を高温で加熱して分離することで、成長面の品質を一貫して保つことができます。これにより、デバイス製造プロセスの効率が向上します。
本特許のIII族窒化物半導体基板とその製造方法は、新たな半導体素材の開発にも応用可能です。既存の半導体素材に比べて優れた特性を持つ新素材を開発し、半導体技術の進歩に寄与することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2015-157967 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2017-036174 |
| 登録番号 | 特許第0006652347号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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