国立研究開発法人物質・材料研究機構
次世代電子デバイスの革新 - トリプルゲートH-ダイヤモンドMISFET
国立研究開発法人物質・材料研究機構
次世代電子デバイスの革新 - トリプルゲートH-ダイヤモンドMISFET
本特許は、半導体ダイヤモンドの特性を活用した、高電力、高周波、高温低電力損失及び省エネルギーの電子デバイス、トリプルゲートH-ダイヤモンドMISFETの製造方法とその構造について述べています。製造方法はH-ダイヤモンド層を表面に有するフィンパターンを用い、その一方及び他方の側にソース電極及びドレイン電極の導電体を形成するステップが含まれます。また、フィンパターンは複数の互いに平行なフィンを有しています。トリプルゲートH-ダイヤモンドMISFETの構造は、ダイヤモンド基板、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極から構成され、ダイヤモンド基板上にはフィンパターンが形成されています。これらの特性により、ダイヤモンドに基づいた電子デバイスは最も大きな電力-周波数積、最も高い熱限界、及び高周波における最小の電力損失を示します。
つまりは、高い性能と省エネルギーを実現するトリプルゲートH-ダイヤモンドMISFETの製造方法とその構造
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業エネルギー業界
- 次世代のエネルギーエフィシエントな電子デバイスの開発
- 高周波数領域でのデバイス性能の向上
- 高熱環境下でのデバイスの信頼性向上
本特許の製造方法と構造を活用して、省エネルギーかつ高性能な電子デバイスを開発します。これにより、エネルギーコストの削減と性能向上を同時に実現することが可能です。
本特許の製造方法を用いることで、高周波数領域でのデバイス性能を向上させることが可能です。これにより、通信機器やレーダーシステムなどの性能を向上させることが可能となります。
本特許の製造方法と構造を活用することで、高熱環境下でも安定した性能を発揮する電子デバイスを開発することが可能です。これにより、産業機器や車載機器など、高熱環境下での信頼性が求められるアプリケーションでの利用が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-112611 |
| 発明の名称 | トリプルゲートＨ－ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴ及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2017-220512 |
| 登録番号 | 特許第0006713167号 |
- サブスク
- 譲渡
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