国立大学法人 筑波大学
先進的な半導体製造法を活用した高性能電子デバイス
国立大学法人 筑波大学
先進的な半導体製造法を活用した高性能電子デバイス
本発明では、SiやGeなどの半導体膜の製造と結晶化の過程において、特定の条件下で加熱することで品質を向上させる手法を詳述しています。具体的には、加熱温度を350度以上800度以下とすることで、半導体膜の性能を大幅に向上させることが可能となっています。また、本発明は、半導体膜の製造方法として、転写法や化学気相成長法、フラッシュランプアニール、金属誘導固相成長法などを採用しています。これらの技術を組み合わせることで、高性能な半導体膜を低コストで製造することが可能となります。
つまりは、この特許は、太陽電池や薄膜トランジスタなどの導体装置とその製造方法に関するもので、特に半導体の結晶化過程を改良することで性能を向上させる技術を提供しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 ハイテク電子機器太陽電池
- 高性能太陽電池の開発
- 高精度薄膜トランジスタの製造
- 半導体製造プロセスの効率化
本発明の半導体製造技術を活用し、より効率的なエネルギー変換を実現する太陽電池の開発が可能です。特に、半導体膜の品質を向上させることで、太陽電池の性能を大幅に上げることが期待できます。
高品質な半導体膜を利用して、より高精度で高性能な薄膜トランジスタを製造することができます。これにより、パフォーマンスを追求する各種電子機器やデバイスへの応用が可能となります。
本発明の製造方法は、半導体製造プロセスを効率化し、コストを削減することが可能です。特に、半導体の結晶化過程を改良することで、製造時間を短縮し、生産効率を向上させることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-037505 |
| 発明の名称 | 半導体装置の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 | 特開2018-142672 |
| 登録番号 | 特許第0006985711号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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