東京都公立大学法人
高精度パターニング！半導体の新次元
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高精度パターニング！半導体の新次元
本特許は、レーザー加熱等の手法での空間分解能の限界を超え、2次元内で微細かつ精密にパターニングが可能な半導体素子の製造方法を提供します。従来の方法では回折限界によりパターニングの精度が限られていましたが、本発明ではテルル化モリブデン（MoTe2）の層状2次元材料に近接場光照射を行い、構造変化を促すことでより高精度なパターニングを可能にしました。この技術により、伝導相が異なる領域を自在にパターニングし、半導体素子の性能向上が期待できます。
つまりは、テルル化モリブデン薄膜に近接場光照射を行い、その構造変化を利用した半導体素子の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子部品製造業光学業
- 高精度な半導体素子の製造
- パターニング技術の進化
- 低消費電力FETの開発
本特許の手法を用いることで、高精度なパターニングを実現し、より性能の高い半導体素子の製造が可能になります。これにより、産業機器や家電製品などに使用する半導体の性能向上が期待できます。
従来のパターニング技術は、光の回折限界による制限がありましたが、本特許の近接場光照射を用いたパターニング技術は、これを克服します。これにより、より精密なパターニングが可能となり、半導体の設計自由度が増すことが期待されます。
本特許のパターニング技術を活用することで、低消費電力のフィールド効果トランジスタ（FET）の開発が期待できます。これにより、エネルギー消費の抑制に寄与し、環境に配慮した電子機器の開発が進められます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-160677 |
| 発明の名称 | 半導体素子の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 東京都公立大学法人 |
| 公開番号 | 特開2019-040964 |
| 登録番号 | 特許第0007072204号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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