国立研究開発法人産業技術総合研究所
高純度で強力な単層カーボンナノチューブ製造技術
東京
登録情報の修正申請国立研究開発法人産業技術総合研究所
高純度で強力な単層カーボンナノチューブ製造技術
東京
登録情報の修正申請本発明は、高い比表面積と純度を持つ単層カーボンナノチューブの製造方法に関するもので、蛍光X線測定による純度が98％以上という高純度を実現しています。この技術は、気相成長法を用いてカーボンナノチューブを精密に配向させ、様々な産業分野での応用が期待されています。
つまりは、比表面積と高純度を実現する革新的なカーボンナノチューブ技術
AIによる特許活用案
おすすめカーボンナノチューブ 比表面積 気相成長法
- 電子デバイスでの応用
- 電池材料への応用
- 医療機器への応用
高純度で配向された単層カーボンナノチューブを電子デバイスの材料として応用し、高性能かつ省エネルギーのデバイスを実現。
比表面積が高く、エネルギー密度の向上に貢献する単層カーボンナノチューブを電池材料に応用する技術。
単層カーボンナノチューブを医療機器に利用し、軽量で高強度な材料としての性能を発揮する技術。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2006-527894 |
| 発明の名称 | 単層カーボンナノチューブおよびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 住所 | 東京 |
| 公開番号 | WO2006/011655 |
| 登録番号 | 特許第4621896号 |
- サブスク
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